4PP提供了簡單而直接的電阻測量，由四個導電探針組成的探頭，以可控力接觸導電層表面，其中在被測導電層和基板之間有非導電阻擋層。標準測量的探針配置是在兩個外部探針之間施加電流，並在兩個內部探針之間測量電壓。
      KLA在R50上開創的雙模技術，允許測量間隔探針上的電壓，並配置了邊界效應動態校正，和探針間距誤差補償功能，讓量測更精準。 KLA更提供了不同的探針類型，以適用和優化不同表面材料的特性表徵測量，幾乎可用於任何導電薄膜或離子注入層。

      EC是非接觸式導電薄膜測量技術，通過線圈施加時變電流以產生時變電場,當該磁場靠近導電表面時，會在該表面中產生感應時變電流(渦流)，這些電渦流反過來會產生它們自己的時變磁場，該磁場與探針線圈耦合併產生，與樣品的電阻成比例的信號變化。KLA獨有的EC技術，單個探頭位於樣品頂部，可以動態的調整每個測量點的探頭高度，這對測量的準確性和重複性至關重要。EC法不受探頭尺寸或表面氧化的影響，非常適合較軟的或其它不適用於4PP接觸法測量的樣品。

—●〈 KLA的4PP和EC兩種測量方法，展示了超過 99% 的相關性 〉●—

■ 金屬薄膜均勻性:
大多數金屬薄膜都可以通過4PP和EC進行測量。圖中2um AICu薄膜的EC分佈圖表徵了一個偏心沉積，並給出了量化結果，有效協助提升製程品質。EC建議用來來測較厚的金屬層，4PP用來量測較薄的金屬層(>10Ω/sq)。

■ 離子注入 (Ion implantation)表現:
4PP是衡量離子注入製程的標準測量技術。在熱退火後，通過測試離子注入分布，可以判別缺陷(lamp failure, poor water/platen contact or implant does variation)所引起的熱點和冷點。圖中三個紅色(高電阻)區域，顯示在離子注入退火製程中熱損失最大的位置。

■ 薄膜厚度/電阻率/方阻(片電阻):
R50可以繪製出方阻、薄膜厚度或電阻率分佈圖。通過材料的電阻率，可計算和顯示膜厚分佈以及電阻率分佈。

■ 數據蒐集和可視化:
RSMapper軟體可以通過2D或3D形式顯示測量結果，對關鍵的薄膜均勻性數據實現快速可視化之展示，使用者亦可離線做分析，並切換映射測量結果、單一比量測結果，及旋轉3D量測結果，作客製化參數的分析。