南臺灣 "太空產業巨頭"
運用尖端科技解決半導體檢測面臨的困境



        立創光電將於9月14日至9月16日國際半導體展展出,提供高階半導體光電檢測技術設備與技術諮詢,包含膜厚量測、形貌翹曲、金屬膜電阻率分布及相關離子摻雜及注入濃度表徵、磊晶膜層的缺陷/螢光檢測等。致力於探究最先進的光電檢測技術的立創,由太陽光電技術出發,跨足半導體、micro-LED、生醫光電、面板與傳產檢測技術並追求創新,透過三大科技應用:半導體、光電、影像光譜檢測技術提供產業與學術界最佳解決方案。近年來積極的發展航太相關產業,與國家太空中心合作開發衛星相關的關鍵元件與技術!




        ★ 本次特邀程子桓博士於創新技術成果發表會,與各位分享先進半導體檢測技術的應用,多元內容,盛邀所有嘉賓進一步了解。



【2022 SEMICON Taiwan 國際半導體展 】創新技術發表會

半導體檢測技術應用
2022/09/15(禮拜四)
14:20 - 16:20
1館4F TechXPOT舞台 (L1200)


按我報名  REGISTER NOW,歡迎到台北南港展覽館1館 1樓,攤位J3134了解更多




▋ PRODUCTS


        光學膜厚儀可在短短幾秒內,量測樣品反射率/穿透率,並計算薄膜厚度、折射率與消光係數。膜厚量測範圍可從1 nm到13 mm,且不需要移動任何零件!

        同時亦可針對不同的樣本狀態提供不同機型,如:軟性基板、有曲率的結構、表面粗糙、小尺寸樣本等等。配置上亦可搭載顯微鏡組,使光斑聚集(1 μm)量測極小區域的厚度,甚至進行區域內自動多點掃描(mapping)及對焦的功能,除此之外,針對產線會使用到的大尺寸晶圓樣本也有相對應的儀器可以進行自動化薄膜檢測,或是進行鍍膜過程之沉積率等參數的即時監控(取樣速率達到100 Hz)。

        光學式膜厚儀更是許多國內外大廠指定使用的,像是Apple, IBM, Applied material, TSMC, TPK, SPIL, Apple, AUO…等,對於不同應用皆可達到高精度、高重複性及高穩定度等的要求。

     
光學膜厚儀
   
 






        電阻測量和監控對於任何使用導電薄膜的行業都至關重要,從半導體製造到可穿戴技術所需的柔性電子產品。R50電阻量測系統在金屬膜膜厚及均勻性分佈、離子摻雜和注入濃度表徵、薄膜厚度和電阻率分佈、以及非接觸膜厚等量測均提供尖端量測手法。

        針對厚薄樣品提供兩種測量電阻的架構: 1.接觸式四點探針法(4PP) 2.非接觸式渦電流法(EC)。對於較薄的金屬層和離子植入層,建議使用接觸式的四點探針法;對於較厚的金屬層和軟性和撓性表面,建議使用非接觸式的渦電流法。

       
四點探針/渦電流量測儀
   
 



        光學輪廓儀是利用垂直掃描光學干涉的變化計算表面形貌的量測儀器,相比常見的接觸式探針顯微鏡具有更低的成本、不會破壞樣品、更好的深寬比並且更快的量測速度的優勢。透過儀器自動拼接功能,使用者可以輕鬆且快速地得到大範圍(100 cm2)的表面形貌影像,且Z軸解析度高達為1 nm (白光干涉模式)甚至0.1 nm (綠光雷射干涉模式)。客戶除了可依照自身需求選用不同倍率的物鏡之外,亦可透過本身具有的數位變焦功能,進行更為小範圍且更高解析度的掃瞄,另外,軟體本身附帶各種分析計算功能,包含有粗糙度、階高量測、高度分布、平坦化功能(可量有曲率及非平坦表面之樣品)與濾鏡等等。

        另外,強大的線上分析軟體,可供使用者離線分析外,亦可分析AFM影像。

        
光學輪廓儀
   
 



        光學輪廓儀是利用垂直掃描光學干涉的變化計算表面形貌的量測儀器,相比常見的接觸式探針顯微鏡具有更低的成本、不會破壞藉由光激發光影像的量測與分析,將有助於早期了解磊晶層或元件的均勻性與缺陷分布,提升產線上的良率與製程調整。透過分析光激發光譜,可分析材料能隙或缺陷能隙、表面複合速率、缺陷密度、接合品質、缺陷能量、溫度係數和材料/元件的光學轉換機制。

        此外也可用在太陽能電池檢測,光激發光強度可以反應出吸收層的最大開路電壓Voc的大小;以不同的光源(光波長)進行量測,其光激發光強度可反應出不同吸收層深度的均勻性分布。

       另外此技術除用於半導體材料、太陽能電池的缺陷檢測外,亦可用於光學元件如 PD、LED/Micro LED、鈣鈦礦、材料等研究等。

       
螢光影像/光譜檢測
   
 





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